Pt 硅化物/多晶硅肖特基二极管作为辐射热测量计的温度传感器

V. A. Yuryev; K. V. Chizh; V. A. Chapnin; S. A. Mironov; V. P. Dubkov; O. V. Uvarov; V. P. Kalinushkin; V. M. Senkov; O. Y. Nalivaiko; A. G. Novikau; P. I. Gaiduk

doi:10.1063/1.4921595

Pt 硅化物/多晶硅肖特基二极管作为辐射热测量计的温度传感器

材料科学 2015-05-25 v2 仪器与探测器

作者: V. A. Yuryev , K. V. Chizh , V. A. Chapnin , S. A. Mironov , V. P. Dubkov , O. V. Uvarov , V. P. Kalinushkin , V. M. Senkov , O. Y. Nalivaiko , A. G. Novikau , P. I. Gaiduk

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

研究表明，在掺磷多晶硅薄膜上形成的铂硅化物肖特基二极管是用于辐射微辐射热测量计探测器的高效且可制造的 CMOS 兼容温度传感器。通过在模拟辐射热测量计单元的人工 Si $_3$ N $_4$ /SiO $_2$ /Si(001) 衬底上采用 CMOS 兼容工艺，制备了薄膜铂硅化物/多晶硅二极管。利用扫描透射电子显微镜研究了原始 Pt/多晶硅薄膜以及通过低温工艺合成的 Pt 硅化物/多晶硅薄膜的层结构和相组成；还通过双波长 X 射线结构相分析和 X 射线光电子能谱对其进行了探索。结果显示，在 25 至 50 $^{\circ}$ C 的温度区间内，单个二极管正向电流的电压温度系数可达约 $-$ 2%/ $^{\circ}$ C。

关键词

铂硅化物肖特基二极管微辐射热测量计温度传感器 cmos 兼容薄膜 x 射线光电子能谱

引用

@article{arxiv.1503.05700,
  title  = {Pt silicide/poly-Si Schottky diodes as temperature sensors for bolometers},
  author = {V. A. Yuryev and K. V. Chizh and V. A. Chapnin and S. A. Mironov and V. P. Dubkov and O. V. Uvarov and V. P. Kalinushkin and V. M. Senkov and O. Y. Nalivaiko and A. G. Novikau and P. I. Gaiduk},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.05700},
  year   = {2015}
}

备注

10 pages, 11 figures, 2 tables; version accepted for publication in J. Appl. Phys

Pt 硅化物/多晶硅肖特基二极管作为辐射热测量计的温度传感器

摘要

关键词

引用

备注

相关论文