多晶硅衬底上 Pt$_3$Si/Pt$_2$Si 薄膜的室温形成
材料科学
2017-06-08 v1 化学物理
摘要
我们提出了一种通过 Pt 磁控溅射和湿法刻蚀在多晶硅（poly-Si）衬底上于室温形成 PtSi/PtSi 薄双层膜的方法，获得了此类薄膜，研究了其结构与相组成，并估算了各层厚度。我们通过直接的 X 射线光电子能谱测量验证了先前的观察，即由于室温 Pt 磁控溅射，在 Pt 与多晶硅薄膜之间形成了 PtSi 层。该层很可能出现是因为磁控等离子体中的 Pt 离子温度足够高，足以在 Si 表面发生硅化物薄膜形成的化学反应。PtSi 层很可能源自 Pt--PtSi 层（PtSi），该层在磁控溅射过程中于 Pt 膜下方产生，是由于湿法刻蚀去除 Pt 而形成。
引用
@article{arxiv.1607.05191,
title = {Room-temperature formation of Pt$_3$Si/Pt$_2$Si films on poly-Si substrates},
author = {V. P. Dubkov and S. A. Mironov and K. V. Chizh and V. A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.05191},
year = {2017}
}
备注
3 pages, 3 figures