多晶硅上铂硅化物的低温形成
材料科学
2020-07-07 v2
摘要
利用 X 射线光电子能谱、高分辨透射电子显微镜和 X 射线衍射术，研究了在多晶硅上铂硅化物薄膜中，于 Pt 磁控溅射及不同温度热处理过程中发生的相形成与转变。结果表明，在室温下于多晶硅（poly-Si）上的 Pt 层下方沉积 Pt 时，形成了非晶和多晶 PtSi 以及 PtSi 相。在 125 至 300C 温度范围内热处理 30 分钟，导致界面薄膜弛豫以及 PtSi 向 PtSi 的部分转变。在相同时间下，于 320 至 480C 温度退火使 PtSi 和 PtSi 相结晶为 PtSi。
引用
@article{arxiv.2002.11189,
title = {Low-temperature formation of platinum silicides on polycrystalline silicon},
author = {Kirill V. Chizh and Vladimir P. Dubkov and Vyacheslav M. Senkov and Igor V. Pirshin and Larisa V. Arapkina and Sergey A. Mironov and Andrey S. Orekhov and Vladimir A. Yuryev},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.11189},
year = {2020}
}
备注
34 pages, 8 figures, 3 tables