LCMO缓冲铂化玻璃衬底上射频溅射PMN-PT薄膜的电学性质
材料科学
2015-12-29 v1
摘要
铅基弛豫铁电薄膜因在多种商业应用中的优异性能而具有技术重要性。然而，制备的精细性与高成本一直困扰着这些材料。本工作对生长在LCMO缓冲铂化玻璃衬底上的PMN-PT薄膜进行了系统研究。薄膜采用射频磁控溅射在室温下制备。通过在空气中进行2小时、550和650摄氏度的非原位热退火可获得单相PMN-PT薄膜。退火温度低于550摄氏度的薄膜以及无缓冲层的薄膜出现了烧绿石相。研究了退火温度对PMN-PT薄膜微观结构、介电和铁电性质的影响。单相PMN-PT薄膜的扫描电子显微图像显示，在550和650摄氏度退火的薄膜具有双峰晶粒尺寸分布。在650摄氏度退火的薄膜观察到1300的高介电常数和17微库仑/平方厘米的剩余极化（2Pr）。
引用
@article{arxiv.1512.07974,
title = {Electrical properties of RF sputtered PMN-PT thin films on LCMO buffered platinized glass substrate},
author = {T. Garg and A. R. Kulkarni and N. Venkataramani},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.07974},
year = {2015}
}