应变 NiO 薄膜的介电性质
材料科学
2019-06-04 v2
摘要
我们研究了通过脉冲激光沉积生长的 NiO 薄膜的介电性质随应变的变化关系，温度范围为 10 至 300 K。在 150 K 以上，空间电荷极化对 NiO 薄膜介电常数的贡献占主导地位，在低温下生长的有较多缺陷的薄膜在直至室温时介电常数急剧增大。而在高温下生长的原子有序薄膜在 10 至 300 K 范围内介电常数未表现出任何显著变化。在 100 K 以下，应变对介电常数的影响变得明显。在应变薄膜中观察到介电常数增大，而弛豫薄膜未表现出与其块体值的任何明显偏离。NiO 薄膜的低温介电行为可基于应变对岩盐型二元氧化物晶格动力学的影响来解释。
引用
@article{arxiv.1904.07564,
title = {Dielectric properties of strained NiO thin films},
author = {Alireza Kashir and Hyeon-Woo Jeong and Gil-ho Lee and Pavlo Mikheenko and Yoon Hee Jeong},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.07564},
year = {2019}
}