射频溅射铜铁氧体薄膜的透射电子显微镜研究
材料科学
2010-12-30 v1
摘要
铜铁氧体薄膜在50W功率下通过射频溅射制备。沉积态薄膜在800°C空气中退火并缓慢冷却。对沉积态和慢冷薄膜进行了透射电子显微镜研究。与在200W更高射频功率下沉积的薄膜相比，50W沉积态薄膜中观察到显著更高的缺陷浓度，包括堆垛层错。在800°C退火后缓慢冷却的薄膜，对于约240nm的膜厚，出现了异常晶粒生长，尺寸达180nm。这些晶粒显示出菊池花样。
引用
@article{arxiv.1012.5743,
title = {Transmission Electron Microscopy Studies on RF Sputtered Copper Ferrite Thin Films},
author = {P. D. Kulkarni and S. Prasad and I. Samajdar and N. Venkataramani and R. Krishnan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5743},
year = {2010}
}
备注
5 pages and 3 figures