基于溅射的Cu/Si薄膜外延生长与建模
材料科学
2015-09-22 v1
摘要
通过磁控溅射沉积了外延铜薄膜。沉积过程中的吸附原子受沉积参数影响，导致薄膜性能变化。通过XRD和FESEM研究深入了解薄膜生长机制。对采用溅射工艺的外延薄膜生长进行了建模。将溅射过程中的参数如溅射产额、压力、温度、电流密度、沉积时间等关联起来，并尝试对溅射过程进行分析。
引用
@article{arxiv.1508.04920,
title = {Sputtering based epitaxial growth and modeling of Cu/Si thin films},
author = {A. S. Bhattacharyya and S. Kumar and S. Jana and P. Y. Kommu and K. Gaurav and S. Prabha and V. S. Kujur and P. Bharadwaj},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.04920},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 4 figures