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外延薄膜生长的一些方面

材料科学 2016-04-08 v1

摘要

本文由四节组成,均涉及溅射过程的计算建模。第一节处理不同极角和离子注量下铋原子层沉积的差异。第二节研究了在不同压力条件下作为入射氩离子能量函数的原子层沉积。获得了类似于Bragg曲线的曲线。第三节通过模拟开发了TiOx薄膜。改变溅射参数以获得不同的原子层。展示了覆盖度随黏附系数的变化。最后一节涉及基于溅射的TiN薄膜沉积。考虑了部分溅射产额随覆盖度的变化率。改变沉积压力和时间以获得不同厚度的薄膜。所有节分开存储。

关键词

引用

@article{arxiv.1604.02020,
  title  = {Some aspects of epitaxial thin film growth},
  author = {A. S. Bhattacharyya and Rishdeo Kumar and Vikrant Raj and S. Shrinidhi and Shrishti Suman and Asmita Shah and Ramgiri P. Kumar},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1604.02020},
  year   = {2016}
}

备注

21 Pages, 14 Figures