高质量 Bi1-xSbx 薄膜的制备与表征：一种溅射沉积方法

Bi1-xSbx 是自然界中发现的首个三维拓扑绝缘体。它呈现出复杂的电子结构，通过改变 Sb 的摩尔分数 x，可实现拓扑态到平庸态的转变以及半金属到半导体的转变。该体系的复杂性可能导致物质中出现多种电子和拓扑相，使其成为一种有前景的量子材料。在此，我们专注于利用共沉积磁控溅射技术制备不同 x 分数的高质量 Bi1-xSbx 薄膜样品。我们的结果表明，可以在 SiO2 衬底上获得具有致密均匀形貌并呈现择优生长方向的高质量样品。我们的发现表明，薄膜的晶体织构与样品组成以及沉积温度之间存在依赖关系。