(Bi1-xInx)2Se3 薄膜中的拓扑金属到能带绝缘体相变
介观与纳米尺度物理
2012-11-02 v1 材料科学
强关联电子
摘要
通过结合对 (Bi1-xInx)2Se3 薄膜的输运和光发射测量，我们报告该系统通过三个量子相变从拓扑非平凡金属转变为拓扑平凡能带绝缘体。在 x = 3-7% 时，发生从拓扑非平凡金属到平凡金属的相变。在 x = 15% 时，金属变为变程跳跃绝缘体。最后，当 x > 25% 时，系统变为真正的能带绝缘体，即使在室温下其电阻也大得无法测量。该材料为研究拓扑可调物理和具有无缝栅控/隧穿绝缘体的器件提供了新场所。
引用
@article{arxiv.1209.2840,
title = {Topological-Metal to Band-Insulator Transition in (Bi1-xInx)2Se3 Thin Films},
author = {Matthew Brahlek and Namrata Bansal and Nikesh Koirala and Su-Yang Xu and Madhab Neupane and Chang Liu and M. Zahid Hasan and Seongshik Oh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2840},
year = {2012}
}
备注
15 pages, 3 figures