拓扑材料能带反转的相图：作为两相关能带间相互作用的函数

Jie-Xiang Yu; J. G. Che

doi:10.1209/0295-5075/113/17008

拓扑材料能带反转的相图：作为两相关能带间相互作用的函数

介观与纳米尺度物理 2017-08-03 v2

作者: Jie-Xiang Yu , J. G. Che

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摘要

基于第一性原理计算，我们预言在石墨烯衍生物 $g$ -C $_{14}$ N $_3$ （涉及一个 $3\times 3$ 石墨烯原胞，其中四个C原子被三个N原子取代）上的Bi是一种具有50~meV能隙的拓扑绝缘体。借助最大局域化Wannier函数，我们发现能带反转能隙可通过考察两参与能带之间的一对相互作用参数来确定。据此，得到了拓扑材料能带反转作为相互作用函数的相图。该结论对 $g$ -C $_{14}$ N $_3$ 上的Sb、Ir和Rh同样成立。这些材料或为拓扑非平庸绝缘体或为半金属，表明 $g$ -C $_{14}$ N $_3$ 是构思拓扑材料的良好平台。

关键词

拓扑材料能带反转相图 Wannier函数石墨烯衍生物第一性原理计算拓扑绝缘体

引用

@article{arxiv.1509.06526,
  title  = {A phase diagram for band inversion of topological materials as a function of interactions between two involved bands},
  author = {Jie-Xiang Yu and J. G. Che},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1509.06526},
  year   = {2017}
}

备注

10 pages, 5 figures

拓扑材料能带反转的相图：作为两相关能带间相互作用的函数

摘要

关键词

引用

备注

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