近邻效应诱导石墨烯中的拓扑态

Igor Popov; Mauro Mantega; Awadhesh Narayan; Stefano Sanvito

doi:10.1103/PhysRevB.90.035418

近邻效应诱导石墨烯中的拓扑态

介观与纳米尺度物理 2014-07-16 v1

作者: Igor Popov , Mauro Mantega , Awadhesh Narayan , Stefano Sanvito

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

普通绝缘体表面出现拓扑保护态是一种罕见现象，迄今为止已知具有此性质的材料寥寥无几。一个引人入胜的问题是能否在不同材料之间形成拓扑保护界面。在此，我们提出通过与三维拓扑绝缘体 Bi $_2$ Se $_3$ 的近邻效应，可将拓扑相转移至石墨烯。利用密度泛函理论和输运理论，我们证明了在化学键形成的临界点，石墨烯/Bi $_2$ Se $_3$ 界面处会形成一种混合态。该态在 $\Gamma$ 点具有类狄拉克锥色散关系和明确定义的螺旋自旋纹理，表明其具有拓扑保护性质。这证明了近邻效应可以将拓扑相从 Bi $_2$ Se $_3$ 转移至石墨烯。

关键词

石墨烯拓扑绝缘体近邻效应 Bi$_2$Se$_3$ 密度泛函理论螺旋自旋纹理狄拉克锥

引用

@article{arxiv.1407.4008,
  title  = {Proximity induced topological state in graphene},
  author = {Igor Popov and Mauro Mantega and Awadhesh Narayan and Stefano Sanvito},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1407.4008},
  year   = {2014}
}

备注

6 pages, 4 figures

近邻效应诱导石墨烯中的拓扑态

摘要

关键词

引用

备注

相关论文