两个拓扑绝缘体结处的无能隙界面态
介观与纳米尺度物理
2013-03-14 v1
摘要
我们考虑两个拓扑绝缘体之间的结，并利用表面具有单个狄拉克锥的拓扑绝缘体的有效低能哈密顿量，计算了界面态的性质。该系统与双层石墨烯非常相似，因为两者都源于狄拉克锥的杂化。我们发现，不仅当拓扑表面态的手性方向相反时存在无能隙界面态，而且当它们方向相同时也可能存在。此外，我们发现界面态的存在可以从手性改变方向时体隙的闭合来理解。最近，有声称在拓扑绝缘体界面处存在超光速快子激发。然而，在此我们表明这些界面态并不存在。
引用
@article{arxiv.1302.3359,
title = {Gapless interface states at the junction between two topological insulators},
author = {Christophe De Beule and Bart Partoens},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.3359},
year = {2013}
}