以门控结电导探测拓扑界面态
介观与纳米尺度物理
2020-09-29 v2 材料科学
摘要
拓扑绝缘体（TI）与非拓扑材料之间界面上受保护态的能带色散和自旋取向依赖于界面处的电荷重分布、应变和原子位移。对这些性质的了解对于拓扑化合物的应用至关重要，但在界面几何中直接获取它们十分困难。我们表明，拓扑绝缘体表面门控双结的电导在不同区间随栅压表现出振荡和准线性衰减。这些给出了界面区域沿结和垂直结方向的准粒子速度值，并确定了拓扑界面态的对称性。结果对结处的边界条件不敏感。
引用
@article{arxiv.1907.10479,
title = {Conductance of gated junctions as a probe of topological interface states},
author = {Eklavya Thareja and Ilya Vekhter and Mahmoud M. Asmar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.10479},
year = {2020}
}