GaAs/Ge/GaAs 量子阱中界面诱导的拓扑绝缘体相变
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
我们从理论上证明，界面工程可以驱动最常用的半导体之一锗进入拓扑绝缘体相。利用 GaAs/Ge/GaAs 相反半导体界面处电荷积累产生的巨大电场和能带折叠，新设计可以减小锗中可观的能隙并诱导大的自旋 - 轨道相互作用，从而导致拓扑绝缘体相变。我们的工作提供了一种在常用半导体中实现拓扑绝缘体的新方法，并提出了将其集成到成熟的半导体电子器件中的有前景的途径。
引用
@article{arxiv.1308.6353,
title = {Interface-induced Topological Insulator Transition in GaAs/Ge/GaAs Quantum Wells},
author = {Dong Zhang and Wenkai Lou and Maosheng Miao and Shou-cheng Zhang and Kai Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1308.6353},
year = {2015}
}
备注
4pages, 3 figures