从界面态自旋积累到锗导带自旋注入的交叉
材料科学
2015-06-04 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
电学自旋注入半导体为探索自旋物理领域的新现象和下一代自旋电子学器件铺平了道路。然而，从磁性隧道结到半导体的自旋注入机制中界面态的确切作用仍存在争议。在本快报中，我们展示了从界面态自旋积累到-Ge导带自旋注入的清晰转变。我们在低温下观察到由于界面态自旋积累导致的自旋信号放大，随后在200 K至室温范围内观察到向导带自旋注入的清晰转变。在该区域，自旋信号减小到与自旋扩散模型一致的值。更有趣的是，我们证明了在该区域中，通过铁磁共振产生的自旋泵浦以及施加背栅电压均可显著调制自旋信号，这是锗导带中自旋流和自旋积累的明确表现。
引用
@article{arxiv.1203.6491,
title = {Crossover from spin accumulation into interface states to spin injection in the germanium conduction band},
author = {A. Jain and J. -C. Rojas-Sanchez and M. Cubukcu and J. Peiro and J. C. Le Breton and E. Prestat and C. Vergnaud and L. Louahadj and C. Portemont and C. Ducruet and V. Baltz and A. Barski and P. Bayle-Guillemaud and L. Vila and J. -P. Attané and E. Augendre and G. Desfonds and S. Gambarelli and H. Jaffrès and J. -M. George and M. Jamet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1203.6491},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures