非线性 regime 中的自旋注入：能带弯曲效应
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1 材料科学
摘要
半导体自旋电子学需要控制非线性 regime 中的自旋注入现象。为研究这些效应，我们在较高偏压下对从稀释磁性半导体 [(Zn,Be,Mn)Se] 注入自旋到非磁性 (Zn,Be)Se 进行测量。当施加电压提升到几毫伏时，我们发现自旋注入效率显著下降。观察到的行为通过扩展自旋注入的电荷不平衡模型来建模，其中包括能带弯曲和界面电荷积聚。我们发现所观察的效应可归因于磁性半导体中少子自旋能级的再填充。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0206347,
title = {Spin injection in the non-linear regime: band bending effects},
author = {G. Schmidt and C. Gould and P. Grabs and A. M. Lunde and G. Richter and A. Slobodskyy and L. W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0206347},
year = {2007}
}
备注
tex file, 4 eps figures