具有有限磁层的磁性/非磁性界面上的自旋注入
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
我们重新考虑了跨越铁磁体/非磁性半导体(FM/NMS)和稀释磁性半导体/非磁性半导体界面进行的自旋注入问题，对于具有有限磁层(FM或DMS)的结构。通过使用适当的物理边界条件，我们发现这些结构的电阻表达式与文献中以前的结果不同。在触点磁阻忽略不计时，我们发现自旋积累效应本身无法解释近期磁阻数据中观察到的 依赖性。在有限的参数范围内，我们的公式预测由于磁性触点的磁阻显著时，系统会出现强烈的 依赖性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0312705,
title = {Spin injection across magnetic/non-magnetic interfaces with finite magnetic layers},
author = {Alexander Khaetskii and J. Carlos Egues and Daniel Loss and Charles Gould and Georg Schmidt and Laurens W. Molenkamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0312705},
year = {2009}
}
备注
6 pages, 3 eps figs. (extended version- new title + two new figures added)