半导体器件中介面复合电流磁场效应的自旋依赖俘获机制
材料科学
2023-12-27 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
电检测磁共振（EDMR）和近零场磁电阻（NZFMR）是探测介电界面处缺陷态的技术，这些缺陷态对金属-氧化物-半导体（MOS）电子器件（如 Si/SiO MOS 场效应晶体管（MOSFET））至关重要。本文引入了一个综合理论，该理论改编自 Shockley、Read 和 Hall 的陷阱辅助复合理论，以包含自旋依赖复合效应，从而提供了磁场敏感性的机制。
引用
@article{arxiv.2312.14933,
title = {Spin-Dependent Capture Mechanism for Magnetic Field Effects on Interface Recombination Current in Semiconductor Devices},
author = {Nicholas J. Harmon and James P. Ashton and Patrick M. Lenahan and Michael E. Flatté},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.14933},
year = {2023}
}
备注
accepted in Applied Physics Letters. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:2008.08121