离子注入硅中砷施主处的自旋依赖复合
材料科学
2015-06-22 v1
摘要
通过两种方法检测了硅中低能砷离子注入形成的近表面薄掺杂区内的自旋依赖输运过程：利用微波光电导进行的自旋依赖复合 (SDR) 和监测样品直流电流的电探测磁共振 (EDMR)。这些技术的高灵敏度使得能够在弱磁场和低共振频率 (40-1200 MHz) 下观测到砷 (As) 的磁共振，在此条件下，由于电子自旋态与核自旋态的混合，可以观测到高能场禁戒的磁子能级间跃迁。所研究的样品中存在几种注入诱导缺陷，并充当自旋读出伙伴。我们通过电探测电子双共振实验明确证实了这一点，并确定由处于激发三重态 (SL1) 的砷施主与氧 - 空位中心形成的近邻对的对复合是砷注入直拉法 (Czochralski) 生长硅中主要的自旋依赖过程。
引用
@article{arxiv.1407.5534,
title = {Spin-dependent recombination at arsenic donors in ion-implanted silicon},
author = {David P. Franke and Manabu Ostuka and Takashi Matsuoka and Leonid S. Vlasenko and Marina P. Vlasenko and Martin S. Brandt and Kohei M. Itoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.5534},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures