28-Si 场效应晶体管中中性锑施主的自旋依赖散射
材料科学
2009-11-13 v2
摘要
我们报告了在同位素富集硅中形成的积累型场效应晶体管内，传导电子被中性施主自旋依赖散射的测量结果。利用电探测磁共振检测到了自旋依赖散射，其谱图显示了传导电子和束缚于施主的电子在源漏电压上的共振变化。我们讨论了利用自旋依赖散射作为基于硅的量子计算机中施主自旋态读出机制的应用。
引用
@article{arxiv.0710.5164,
title = {Spin-Dependent Scattering off Neutral Antimony Donors in 28-Si Field-Effect Transistors},
author = {C. C. Lo and J. Bokor and T. Schenkel and A. M. Tyryshkin and S. A. Lyon},
journal= {arXiv preprint arXiv:0710.5164},
year = {2009}
}
备注
14 pages, 3 figures. Correction made to figure3(b)