利用 Stark 位移对硅中施主核自旋的条件控制
量子物理
2015-06-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
电场可用于通过 Stark 位移调节硅中的施主自旋，其中施主电子波函数被电场位移，从而改变电子自旋与施主核自旋之间的超精细耦合。我们提出了一种基于电子自旋动态解耦的技术，以精确测定 Stark 位移，并利用同位素纯化的硅 -28 中的锑施主进行了演示。随后，我们展示了两种结合直流电场与施加的共振射频 (RF) 场来条件控制施主核自旋的不同方法。第一种方法将电场诱导的条件相位门与标准 RF 脉冲相结合，第二种方法则简单地将自旋失谐至非共振状态。最后，我们考虑了减少电场不均匀性影响的不同策略，并获得了超过 90% 的过程保真度。
引用
@article{arxiv.1405.7420,
title = {Conditional control of donor nuclear spins in silicon using Stark shifts},
author = {Gary Wolfowicz and Matias Urdampilleta and Mike L. W. Thewalt and Helge Riemann and Nikolai V. Abrosimov and Peter Becker and Hans-Joachim Pohl and John J. L. Morton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1405.7420},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 supplementary information