硅中磷施主附近 $^{29}$Si 核自旋的微观控制
原子与分子团簇
2015-09-30 v3 介观与纳米尺度物理
摘要
我们展示了在低于 1 K 的温度和 4.6 T 的强磁场下，对硅晶体中 P 施主附近特定晶格位点的 Si 核自旋取向进行有效控制。激发禁戒的电子 - 核跃迁会导致 P 的电子自旋共振 (ESR) 谱线中出现窄孔和峰的图案。该图案源于通过固态效应动态极化施主附近的 Si 核自旋。该方法可用于全硅量子计算机中基于 Si 核自旋的量子比特初始化。相比之下，通过泵浦允许 ESR 跃迁进行的 Si 极化并未产生任何图案，而是在 ESR 谱线中烧出了一个单一的窄谱孔。这种差异归因于在微波泵浦允许跃迁期间发生了快速的自旋扩散。
引用
@article{arxiv.1409.6462,
title = {Microscopic control of $^{29}$Si nuclear spins near phosphorus donors in silicon},
author = {J. Järvinen and D. Zvezdov and J. Ahokas and S. Sheludyakov and O. Vainio and L. Lehtonen and S. Vasiliev and Y. Fujii and S. Mitsudo and T. Mizusaki and M. Gwak and SangGap Lee and Soonchil Lee and L. Vlasenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.6462},
year = {2015}
}