磷掺杂硅中电子自旋相位松弛
材料科学
2007-05-23 v1 量子物理
摘要
我们报告了对磷掺杂硅单晶中电子自旋相位松弛的脉冲 EPR 研究。该研究在同位纯化的 Si 和天然丰度 Si 单晶中进行，测量温度为 8 K。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0402152,
title = {Electron spin phase relaxation of phosphorus donors in nuclear spin enriched silicon},
author = {Eisuke Abe and Kohei M. Itoh and Junichi Isoya and Satoshi Yamasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0402152},
year = {2007}
}
备注
5 pages, 3 figures