磷掺杂硅中电子自旋relaxation时间
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
对天然掺磷硅（Si:P）和同位素纯化 28Si:P 中 donor 电子自旋的脉冲电子顺磁共振测量显示，其纵向relaxation时间 T1 随温度强烈依赖，源于 DeltaE=126 K 的 Orbach 过程。28Si:P 中的 2 脉冲回声衰减呈指数型，在约 12 K 以下的温度下由 Orbach 过程控制 T2（去相干时间），而在较高温度下由瞬时扩散控制。通过变换脉冲转角的自旋回声实验表明，28Si:P 中孤立自旋的固有 T2 在 7 K 时约为 60 ms。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0303006,
title = {Electron Spin-Relaxation Times of Phosphorus Donors in Silicon},
author = {A. M. Tyryshkin and S. A. Lyon and A. V. Astashkin and A. M. Raitsimring},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0303006},
year = {2009}
}
备注
Submitted to PRL on 02.28.2003