硅中磷施主的自旋回波电学检测

通过回波层析成像进行的自旋回波电学检测，用于观察与 SiO$_2$界面附近硅中磷施主电子自旋态电学读取相关的退相干过程。使用 Carr-Purcell 脉冲序列，观测到时间常数为$1.7\pm0.2 \rm{\mu s}$的回波衰减，这与关于施主与顺磁性界面态之间相互作用的理论建模非常吻合。因此，自旋回波电学层析成像可用于研究量子信息处理中实际自旋量子比特器件的自旋动力学。