利用脉冲ENDOR电检测磷掺杂硅中的相干核自旋振荡
材料科学
2015-05-20 v1
摘要
我们展示了在5 K温度下，对磷掺杂硅中脉冲X波段电子-核双共振（ENDOR）的电检测。采用类似于传统电子自旋共振中Davies ENDOR的脉冲序列，测量了P核自旋的核自旋跃迁频率，其中P电子自旋通过Si/SiO界面态的自旋依赖跃迁进行电检测，因此不依赖于电子自旋系统的极化。此外，还展示了相干核自旋振荡的电检测，证明了电读取可能的核自旋量子比特自旋态的可行性。
引用
@article{arxiv.1012.5241,
title = {Electrical Detection of Coherent Nuclear Spin Oscillations in Phosphorus-Doped Silicon Using Pulsed ENDOR},
author = {Felix Hoehne and Lukas Dreher and Hans Huebl and Martin Stutzmann and Martin S. Brandt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1012.5241},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 3 figures