碳化硅中自旋 3/2 色心的电子-核相互作用与电子结构：一项高场脉冲 EPR 与 ENDOR 研究
材料科学
2021-10-04 v2 其他凝聚态物理
摘要
利用高频脉冲电子顺磁共振（EPR）与电子-核双共振（ENDOR）阐明了六方 4H-、6H- 及斜方 15R- 碳化硅（SiC）多型体中具有光诱导高温自旋 3/2 取向的色心的电子结构。该辨识基于分辨出的与碳和硅最近邻、次近邻及更远邻的配体超精细相互作用，以及自旋态的测定。基态与激发态均被证明具有自旋 S = 3/2。由 EPR 与 ENDOR 结果提出的微观模型如下：一个顺磁性带负电的硅空位以非共价方式键合到一个顺磁性中性的碳空位，该碳空位位于沿 SiC 对称 c 轴的相邻位点上。
引用
@article{arxiv.2007.07019,
title = {Electron nuclear interactions and electronic structure of spin 3/2 color centers in silicon carbide: A high-field pulse EPR and ENDOR study},
author = {V. A. Soltamov and B. V. Yavkin and A. N. Anisimov and I. D. Breev and A. P. Bundakova and S. B. Orlinskii and P. G. Baranov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.07019},
year = {2021}
}
备注
50 pages, 14 figures, 2 tables