碳化硅色心中电学与力学可调的电子自旋
介观与纳米尺度物理
2015-06-18 v1 材料科学
量子物理
摘要
半导体缺陷的电子自旋与其宿主之间存在复杂的相互作用，特别是在碳化硅 (SiC) 等极性材料中，电学变量与力学变量相互交织。通过将脉冲自旋共振与从头算 (ab-initio) 模拟相结合，我们表明 SiC 中性双空位内的自旋 - 自旋相互作用产生了具有增强斯塔克效应、低于 10**-6 的应变灵敏度以及高度自旋依赖的光致发光（强度对比度为 15-36%）的自旋态。这些结果确立了 SiC 色心作为探测纳米尺度场的极具吸引力的系统。
引用
@article{arxiv.1311.6832,
title = {Electrically and mechanically tunable electron spins in silicon carbide color centers},
author = {Abram L. Falk and Paul V. Klimov and Bob B. Buckley and Viktor Ivády and Igor A. Abrikosov and Greg Calusine and William F. Koehl and Ádám Gali and David D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.6832},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 4 figures, 1 table