SiC 中能级交叉诱导的自旋现象：一项理论研究
量子物理
2021-01-13 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
提出一种处理缺陷色心自旋动力学的理论方法。该方法显式考虑缺陷中心基态与激发态中的自旋动力学，以及涉及基态、激发态并含额外中间态的自旋态依赖跃迁。所提理论被用于处理碳化硅中的自旋依赖现象，即自旋-3/2 硅空位中心 VSi 或 V2 中心。对磁场依赖光致发光强度与光探测磁共振谱的理论预测表明，能级交叉现象在基态与激发态自旋动力学中起着重要作用。结果与已发表的实验数据吻合良好 [Phys. Rev. X, 6 (2016) 031014]。
引用
@article{arxiv.2006.15542,
title = {Level-crossing induced spin phenomena in SiC: a theoretical study},
author = {Denis V. Sosnovsky and Konstantin L. Ivanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.15542},
year = {2021}
}