通过碳化硅中硅空位系间窜越实现自旋极化
量子物理
2019-05-15 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
基于碳化硅（SiC）的缺陷有望用于量子通信、量子信息处理以及下一代量子传感器，因为它们具有长相干时间、近电信波段频率以及光学与微波跃迁。对于此类应用，自旋态的高效初始化是必要的。我们利用硅空位缺陷的系间窜越，发展了一种自旋极化过程的理论描述，该过程由光学驱动、自旋轨道耦合以及与振动模的相互作用共同实现。通过使用不同的光学驱动，我们分析了两个自旋极化通道。有趣的是，我们发现基态流形中不同的自旋投影可被极化。本工作有助于理解硅空位的初始化与读出，并解释了 SiC 中硅空位中心的一些已有实验。
引用
@article{arxiv.1811.01398,
title = {Spin polarization through Intersystem Crossing in the silicon vacancy of silicon carbide},
author = {Wenzheng Dong and M. W. Doherty and Sophia E. Economou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1811.01398},
year = {2019}
}