室温下6H-SiC中自旋-3/2硅空位中心的光学自旋初始化
量子物理
2021-03-17 v4 介观与纳米尺度物理
摘要
碳化硅中的硅空位已被提出作为金刚石中氮空位中心的替代方案，用于自旋电子学与量子技术。这些应用的一个重要前提是将量子比特初始化到特定量子态。本工作中，我们研究6H-SiC中带负电的spin 3/2硅空位的光学取向。利用时间分辨光探测磁共振技术，我们相干控制硅空位自旋系综并测量所有三个跃迁的拉比频率和自旋-晶格弛豫时间。随后，为研究硅空位自旋系综的光学初始化过程，将该系综制备于不同基态并进行光学激发。我们描述了一个简单的速率方程模型，可解释观测行为并确定相关速率常数。
引用
@article{arxiv.2007.08516,
title = {Optical spin initialization of spin-3/2 silicon vacancy centers in 6H-SiC at room temperature},
author = {Harpreet Singh and Andrei N. Anisimov and I. D. Breev and Pavel G. Baranov and Dieter Suter},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.08516},
year = {2021}
}
备注
11 pages, 12 figures