4H-和6H-SiC中硅空位在室温下的相干自旋排列
材料科学
2012-06-11 v2
摘要
我们报道了在室温下实现碳化硅（SiC）中硅空位（）基态自旋子能级的光学诱导粒子数反转。数据显示，探测的硅空位自旋系综可以制备成自旋态的相干叠加。拉比振荡持续超过80 s。在4H-和6H-SiC中，室温下实现了两种相反的非偏振光照射下硅空位基态自旋子能级间粒子数的光学排列方案。这些共同使得SiC中的硅空位成为自旋电子学、量子信息处理和磁测量中非常有利的缺陷。
引用
@article{arxiv.1202.5875,
title = {Room temperature coherent spin alignment of silicon vacancies in 4H- and 6H-SiC},
author = {Victor A. Soltamov and Alexandra A. Soltamova and Ivan I. Proskuryakov and Pavel G. Baranov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.5875},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 3 pictures