4H-SiC中硅空位在室温下的自旋相干与回波调制
介观与纳米尺度物理
2015-10-19 v1 量子物理
摘要
碳化硅中的硅空位是量子信息处理和传感应用的强新兴候选者。我们在室温下对一组空位进行了光探测磁共振和自旋回波测量，发现其性质强烈依赖于磁场。自旋回波衰减时间从低场下小于10 s变化到68 mT下的80 s，并且还观察到强烈的场依赖自旋回波调制。该调制归因于与核自旋的相互作用，并可由一个理论模型很好地描述。
引用
@article{arxiv.1506.05641,
title = {Spin Coherence and Echo Modulation of the Silicon Vacancy in 4H-SiC at Room Temperature},
author = {S. G. Carter and Ö. O. Soykal and Pratibha Dev and Sophia E. Economou and E. R. Glaser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.05641},
year = {2015}
}
备注
17 pages including supplemental material, 4 figures in the main text, and 2 figures in the supplemental material