550 K 以上碳化硅中缺陷自旋的相干控制
介观与纳米尺度物理
2018-10-23 v1 量子物理
摘要
鉴于碳化硅中缺陷引人注目的光学与自旋性质，人们已对其开展了大量研究。然而，多数研究是在低温与室温下进行的。高温下的自旋相干性质鲜为人知。在此，我们实验演示了 550 K 以上碳化硅中双空位缺陷自旋的相干控制。研究了从室温到 600 K 缺陷的自旋性质，发现零场分裂具有多项式温度依赖性，且自旋相干时间随温度升高而减小。此外，作为应用示例，我们展示了在约 450 K 下使用 Ramsey 方法的热传感。我们的实验结果将有助于缺陷自旋高温性质的研究以及基于碳化硅的宽温区量子传感。
引用
@article{arxiv.1810.08888,
title = {Coherent control of defect spins in silicon carbide above 550 K},
author = {Fei-Fei Yan and Jun-Feng Wang and Qiang Li and Ze-Di Cheng and Jin-Ming Cui and Wen-Zheng Liu and Jin-Shi Xu and Chuan-Feng Li and Guang-Can Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.08888},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 5 figures