室温下碳化硅中单自旋的相干操控
介观与纳米尺度物理
2014-12-08 v2
摘要
固体中的自旋是量子自旋电子学的核心要素。金刚石中的缺陷或硅中的单个磷掺杂剂等主要竞争者已显示出显著进展，但要么缺乏成熟的纳米技术，要么缺乏高效的自旋 - 光子接口。碳化硅（SiC）结合了两个系统的优势：它具有宽带隙和深能级缺陷，并受益于成熟的制造技术。在此，我们报告了对 SiC 中单个硅空位的光致发光和光学自旋极化的表征，并证明了可以在室温下操控单个自旋。我们展示了对单个缺陷自旋的相干操控，并发现其在环境条件下具有长的自旋相干时间。我们的研究提供了证据，表明 SiC 是原子尺度自旋电子学和量子技术的一个有前景的系统。
引用
@article{arxiv.1407.0180,
title = {Coherent control of single spins in silicon carbide at room temperature},
author = {Matthias Widmann and Sang-Yun Lee and Torsten Rendler and Nguyen Tien Son and Helmut Fedder and Seoyoung Paik and Li-Ping Yang and Nan Zhao and Sen Yang and Ian Booker and Andrej Denisenko and Mohammad Jamali and Seyed Ali Momenzadeh and Ilja Gerhardt and Takeshi Ohshima and Adam Gali and Erik Janzén and Jörg Wrachtrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.0180},
year = {2014}
}