碳化硅中具有毫秒级相干时间的孤立电子自旋
介观与纳米尺度物理
2015-06-22 v1 材料科学
量子物理
摘要
碳化硅 (SiC) 中缺陷的消除促使其在光电子和功率电子行业中跃居前沿。然而，由于 SiC 缺陷的电子态具有尖锐的光学和自旋跃迁特性，它们日益被视为量子信息和纳米传感应用的宝贵资源。在此，我们展示了在高纯度单晶 4H-SiC 中可以隔离并相干控制单个电子自旋态。这些束缚于中性双空位缺陷的态表现出异常长的系综 Hahn 回波自旋相干时间，超过 1 ms。在对先进生长和微加工技术兼容的材料中实现单自旋的相干控制，是通往晶圆级量子技术的一条令人振奋的途径。
引用
@article{arxiv.1406.7325,
title = {Isolated electron spins in silicon carbide with millisecond-coherence times},
author = {David J. Christle and Abram L. Falk and Paolo Andrich and Paul V. Klimov and Jawad ul Hassan and Nguyen T. Son and Erik Janzén and Takeshi Ohshima and David D. Awschalom},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.7325},
year = {2015}
}
备注
11 pages, 3 figures