室温下碳化硅中注入缺陷自旋的相干控制
应用物理
2020-04-15 v1 量子物理
摘要
近来，碳化硅（SiC）中与空位相关的自旋缺陷被证明有望用于构建通用量子接口和可扩展量子网络。人们已付出大量努力来识别 SiC 中的自旋体系，并借助大规模生长与先进纳米加工方法拓展其量子能力。本文中，我们展示了一种通过氢离子注入结合高温后退火在 4H 多型 SiC 中产生的自旋缺陷，其不同于任何已知缺陷。这些自旋缺陷即使在室温下也可被光寻址与相干控制，且其荧光光谱与光探测磁共振谱均不同于此前发现的任何缺陷。此外，通过优化注入后的退火温度可很好地控制这些缺陷的生成。这些缺陷展现出具有高相干控制电子自旋的热稳定性，有助于其在苛刻条件下的量子传感与脉泽应用。
引用
@article{arxiv.2004.06261,
title = {Room-temperature coherent control of implanted defect spins in silicon carbide},
author = {Fei-Fei Yan and Ai-Lun Yi and Jun-Feng Wang and Qiang Li and Pei Yu and Jia-Xiang Zhang and Adam Gali and Ya Wang and Jin-Shi Xu and Xin Ou and Chuan-Feng Li and Guang-Can Guo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2004.06261},
year = {2020}
}
备注
15 pages, 4 figures