4H 碳化硅中硅空位相关室温量子比特的识别
材料科学
2017-11-01 v2
摘要
充当量子比特的点缺陷的微观构型识别是量子信息处理和传感进展的关键步骤。在众多候选者中，碳化硅（SiC）中的硅空位相关中心因其特殊的自旋-3/2 基态和激发态而展现出非凡性质。尽管这些中心在数十年前已被观测到，仍存在两种竞争模型——孤立带负电硅空位与带负电硅空位和中性碳空位复合体[Phys. Rev. Lett.\ \textbf{115}, 247602 (2015)]——被争论为起源。通过高精度第一性原理计算和高分辨率电子自旋共振测量，我们在此明确将六方 SiC 中的硅空位相关量子比特鉴定为孤立带负电硅空位。此外，我们识别了提供室温光学读出的硅空位量子比特构型。
引用
@article{arxiv.1708.06259,
title = {Identification of Si-vacancy related room temperature qubits in 4H silicon carbide},
author = {Viktor Ivády and Joel Davidsson and Nguyen Tien Son and Takeshi Ohshima and Igor A. Abrikosov and Adam Gali},
journal= {arXiv preprint arXiv:1708.06259},
year = {2017}
}
备注
3 figures