SiC 中的点缺陷：室温可控量子态的单缺陷、单光子光谱学的有前景基础
材料科学
2013-02-22 v1
摘要
金刚石中氮-空位（NV）中心独特的量子特性激发了人们在碳化硅（SiC）中寻找具有类似性质缺陷的努力，这可以扩展金刚石所不具备的此类系统的功能。本文展示的电子顺磁共振（EPR）和光探测磁共振（ODMR）研究表明，SiC 中与硅空位（VSi）相关的点缺陷具有与金刚石 NV 中心相似的特性，这使其成为红外区域单缺陷和单光子光谱学中很有前景的量子系统。根据缺陷类型、温度、SiC 多型体和晶格位置的不同，在非偏振光照射下，观察到 VSi 相关缺陷的基态自旋亚能级布居数光学校准存在两种相反的方案。研究表明，即使在室温下，VSi 相关缺陷的自旋系综也能被制备到自旋态的相干叠加态中。零场 ODMR 显示了通过施加射频场操控基态自旋布居数的可能性。所有这些使 SiC 中 VSi 相关缺陷成为自旋电子学、量子信息处理和磁力测量非常有利的候选者。
引用
@article{arxiv.1301.1913,
title = {Point defects in SiC as a promising basis for single-defect, single-photon spectroscopy with room temperature controllable quantum states},
author = {Pavel G. Baranov and Victor A. Soltamov and Alexandra A. Soltamova and Georgy V. Astakhov and Vladimir V. Dyakonov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1301.1913},
year = {2013}
}
备注
accepted for Materials Science Forum (2013)