金刚石中分裂硅 - 空位缺陷的\emph{ab initio}研究：电子结构及相关性质
材料科学
2013-12-25 v2
摘要
金刚石中的分裂硅 - 空位缺陷（SiV）是一种具有电学和光学活性的色心。近期研究表明，该色心亮度高，可在单缺陷水平被探测到。此外，SiV 缺陷表现出非零的电子自旋基态，使其除金刚石中众所周知的氮 - 空位色心外，成为量子光学和计量学应用的潜在候选者。然而，该缺陷的电子结构、光学激发的性质以及其他相关性质尚未被充分理解。在此，我们提出了一项关于金刚石中 SiV 缺陷的高级\emph{ab initio}研究。我们确定了该缺陷的形成能、电荷跃迁能级以及激发的性质。我们的研究揭示了与 1.68-eV 光致发光中心相关的负电荷 SiV 缺陷的暗态或搁置态（shelving state）的起源。
引用
@article{arxiv.1310.2137,
title = {An \emph{ab initio} study on split silicon-vacancy defect in diamond: electronic structure and related properties},
author = {Adam Gali and Jeronimo R. Maze},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.2137},
year = {2013}
}
备注
8 pages, 5 figures, 1 table