金刚石中硅空位色心的电子结构
材料科学
2015-06-17 v1
摘要
金刚石中带负电的硅空位 (SiV) 色心最近被证明适用于明亮且稳定的单光子发射。然而，其电子结构迄今为止仍不清楚。在此，我们通过将单个 SiV 缺陷暴露于磁场中来探索其电子结构，其中塞曼效应解除了磁子能级的简并。单个中心与低应变参考样品中 SiV 系综的相似响应，证明了我们制造近乎完美单个 SiV 的能力，揭示了该缺陷电子性质的真实本质。我们使用群论方法对电子态进行建模，结果与实验观察吻合良好。此外，该模型正确预测了单个 SiV 中心的偏振测量结果，并解释了最近发现的 SiV 缺陷的自旋选择性激发。
引用
@article{arxiv.1310.3106,
title = {The electronic structure of the silicon vacancy color center in diamond},
author = {Christian Hepp and Tina Müller and Victor Waselowski and Jonas N. Becker and Benjamin Pingault and Hadwig Sternschulte and Doris Steinmüller-Nethl and Adam Gali and Jeronimo R. Maze and Mete Atatüre and Christoph Becher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.3106},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures, 1 table