金刚石中硅空位中心的应变工程
量子物理
2018-06-06 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们利用纳米机电系统改变金刚石中硅空位（SiV）色心的静态应变环境，从而调控其电子结构。这使得 SiV 光学和自旋跃迁频率在宽范围内实现确定性的局部调谐，这是迈向多量子比特网络的关键一步。在此过程中，我们推断出了 SiV 的应变哈密顿量，揭示了电子轨道态具有约为 1 PHz/strain 的大应变敏感性。我们确定了自旋-轨道相互作用导致自旋跃迁具有约为 100 THz/strain 的大应变敏感性的区域，并提出了一种使 SiV 自旋与纳米机械谐振腔强耦合的实验。
引用
@article{arxiv.1801.09833,
title = {Strain engineering of the silicon-vacancy center in diamond},
author = {Srujan Meesala and Young-Ik Sohn and Benjamin Pingault and Linbo Shao and Haig A. Atikian and Jeffrey Holzgrafe and Mustafa Gundogan and Camille Stavrakas and Alp Sipahigil and Cleaven Chia and Michael J. Burek and Mian Zhang and Lue Wu and Jose L. Pacheco and John Abraham and Edward Bielejec and Mikhail D. Lukin and Mete Atature and Marko Loncar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.09833},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 10 figures