通过高应力薄膜在纳米结构中确定性制备应变色心

色心已成为实现混合自旋-光子量子信息技术的主要量子比特候选者。然而，该平台的一个主要限制是个别色心的特性通常依赖于应变。作为一个示例，金刚石中的硅空位中心通常需要毫开温度以实现长相干特性，但已有研究表明应变硅空位中心可在超过1K的温度下工作而无声子介导的退相干。本工作中，我们将高应力氮化硅薄膜与金刚石纳米结构结合，以可重复地创建静态应变硅空位色心（基态平均分裂为608 GHz），应变幅度为$\sim 4 \times 10^{-4}$。基于建模，该应变应足以使被测样品中多数硅空位中心在升高温度（1.5K）下工作而不退化其自旋特性。该方法提供了一种可扩展制备高温工作量子存储器的途径。除硅空位中心外，该方法具有充分通用性，也可轻易拓展至其他平台。