金刚石中中性硅空位中心的电子结构
材料科学
2019-04-24 v1 量子物理
摘要
金刚石中带中性电荷的硅空位是一种很有前景的量子技术体系，它结合了高效率、宽波段光学自旋极化、长自旋寿命（4 K 下 T2 ~ 1 ms）以及高达 90% 的光学发射集中于其 946 nm 零声子线等特性。然而，SiV0 的电子结构尚不清楚，使其进一步开发困难。通过对外加单轴应力下的 SiV0 进行光致发光光谱测量，我们发现先前提出的单个 3A1u 激发态电子结构是不正确的，并识别出而是一个耦合的 3Eu - 3A2u 系统，其低能态在零应力下具有禁戒光学发射，从而有效降低了该缺陷的总发射；我们提出利用有限应变形成自旋-光子接口基础的解决方案。同位素富集明确地将与该缺陷相关的 976 nm 跃迁归属于硅原子的局域模。
引用
@article{arxiv.1804.09141,
title = {Electronic structure of the neutral silicon-vacancy center in diamond},
author = {B. L. Green and M. W. Doherty and E. Nako and N. B. Manson and U. F. S. D'Haenens-Johansson and S. D. Williams and D. J. Twitchen and M. E. Newton},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.09141},
year = {2019}
}