通过表面控制在未掺杂金刚石中实现中性硅空位中心
量子物理
2023-05-03 v1 应用物理
摘要
金刚石中的中性硅空位中心（SiV0）因其长自旋相干时间和稳定、窄的光学跃迁而成为量子网络的有前景的候选者。然而，稳定 SiV0 需要高纯度、硼掺杂金刚石，而这不是一种易得的材料。在此，我们展示了一种通过金刚石表面的化学控制的替代方法。我们使用低损伤化学处理和氢气环境中退火，在未掺杂金刚石中实现可逆且高度稳定的电荷态调控。所得的 SiV0 中心显示出光探测磁共振和体相般的光学性质。通过表面终止控制电荷态调控，为基于 SiV0 中心的可扩展技术以及其他缺陷的电荷态工程提供了一条途径。
引用
@article{arxiv.2206.13698,
title = {Neutral silicon vacancy centers in undoped diamond via surface control},
author = {Zi-Huai Zhang and Josh A. Zuber and Lila V. H. Rodgers and Xin Gui and Paul Stevenson and Minghao Li and Marietta Batzer and Marcel. li Grimau and Brendan Shields and Andrew M. Edmonds and Nicola Palmer and Matthew L. Markham and Robert J. Cava and Patrick Maletinsky and Nathalie P. de Leon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2206.13698},
year = {2023}
}