金刚石中带负电硅空位中心的电子结构
材料科学
2014-06-23 v2
摘要
金刚石中带负电的硅空位（SiV）中心是一种用于量子通信和信息处理的有前景的单光子源。然而，围绕其基本性质的争议阻碍了该中心在此类量子技术中的实施。在此，我们展示了体金刚石中单中心的光偏振测量结果，解决了这一争议状态，并确定该中心具有 对称性的沿 方向排列的分裂空位结构。此外，我们识别出一个额外的电子能级，并在该中心 738 nm 光学共振中发现了动态 Jahn-Teller 效应存在的证据。
引用
@article{arxiv.1310.3131,
title = {Electronic structure of the negatively-charged silicon-vacancy center in diamond},
author = {Lachlan J. Rogers and Kay D. Jahnke and Marcus W. Doherty and Andreas Dietrich and Liam McGuinness and Christoph Müller and Tokuyuki Teraji and Hitoshi Sumiya and Junichi Isoya and Neil B. Manson and Fedor Jelezko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1310.3131},
year = {2014}
}
备注
8 pages, 8 figures