单晶金刚石中硅空位中心的电激发
材料科学
2015-05-20 v1 光学
摘要
演示了单晶金刚石中带负电的硅空位(SiV)-中心的电驱动发光。SiV中心是通过向p-i-n单晶金刚石二极管的本征(i)区注入离子产生的。电致发光和光致发光信号均表现出归属于(SiV)-中心的典型发射。在正向和反向偏置的光致发光测量下，未观察到中性(SiV)0缺陷的信号。实现电驱动的(SiV)-发射对于采用单晶金刚石中色心的可扩展纳米光子器件大有前景。
引用
@article{arxiv.1503.04778,
title = {Electrical excitation of silicon-vacancy centers in single crystal diamond},
author = {Amanuel M. Berhane and Sumin Choi and Hiromitsu Kato and Toshiharu Makino and Norikazu Mizuochi and Satoshi Yamasaki and Igor Aharonovich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.04778},
year = {2015}
}