硅空位中心与单晶金刚石腔的耦合
材料科学
2015-06-03 v1
摘要
我们展示了硅空位 (SiV) 中心系综与单晶金刚石微盘腔的光学耦合。这些腔体由通过离子注入、电化学剥离随后进行同质外延生长产生的单晶金刚石膜制造而成。测量了与 SiV 中心的零声子线 (ZPL) 光谱重叠且品质因数约为 2200 的回音壁模式。与腔外膜中的 SiV 中心相比，观察到腔内 SiV 中心的寿命从 1.8 ns 减少到 1.48 ns。这些结果对于开发金刚石集成光子网络至关重要。
引用
@article{arxiv.1111.6852,
title = {Coupling of silicon-vacancy centers to a single crystal diamond cavity},
author = {Jonathan C. Lee and Igor Aharonovich and Andrew P. Magyar and Fabian Rol and Evelyn L. Hu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.6852},
year = {2015}
}