包含单缺陷中心的金刚石纳米柱中硅空位的完全相干控制
介观与纳米尺度物理
2017-01-19 v1
摘要
相同且可单独寻址的量子比特阵列为创建可扩展量子硬件（如量子处理器和中继器）奠定了基础。金刚石中的硅空位中心 (SiV) 具有优异的物理性质，如低非均匀展宽、快速光子发射和大的德拜-瓦勒因子，而全光超快操控的可能性以及延长自旋相干时间的技术使它们成为非常有前途的量子比特候选者。在此，我们开发了高产率包含单个 SiV 中心的纳米柱阵列，并展示了单 SiV 中心状态的超快全光完全相干控制。化学气相沉积 (CVD) 生长的 SiV 中心的高质量提供了优异的光谱稳定性，使我们能够利用超快光学脉冲在皮秒时间尺度上相干操控并准共振读出单个 SiV 中心的状态。该工作为创建用于量子信息处理和可扩展纳米光子学应用的可扩展片上金刚石平台开辟了新机遇。
引用
@article{arxiv.1701.04961,
title = {Complete Coherent Control of Silicon-Vacancies in Diamond Nanopillars Containing Single Defect Centers},
author = {Jingyuan Linda Zhang and Konstantinos G. Lagoudakis and Yan-Kai Tzeng and Constantin Dory and Marina Radulaski and Yousif Kelaita and Kevin A. Fischer and Zhi-Xun Shen and Nicholas A. Melosh and Steven Chu and Jelena Vučković},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.04961},
year = {2017}
}